RGTH80TS65GC11
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RGTH80TS65GC11 |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | IGBT TRNCH FIELD 650V 70A TO247N |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) | 650 V |
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
Testbedingung | 400V, 40A, 10Ohm, 15V |
Td (ein / aus) bei 25 ° C | 34ns/120ns |
Schaltenergie | - |
Supplier Device-Gehäuse | TO-247N |
Serie | - |
Leistung - max | 234 W |
Verpackung / Gehäuse | TO-247-3 |
Paket | Tube |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Eingabetyp | Standard |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Gate-Ladung | 79 nC |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
Strom - Kollektor (Ic) (max) | 70 A |
Grundproduktnummer | RGTH80 |
RGTH80TS65GC11 Einzelheiten PDF [English] | RGTH80TS65GC11 PDF - EN.pdf |
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IGBT TRENCH FIELD 650V 58A TO247
1-PHASE S.STARTER 25A UE:100-240
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RGTH80TS65GC11Rohm Semiconductor |
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Zielpreis (USD)
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